삼성전자, 14나노 EUV 적용한 'LPDDR5X' D램 업계 최초 개발

삼성전자가 업계 최선단인 14나노 EUV(극자외선) 멀티레이어 공정을 적용한 차세대 D램을 개발했다. 기존 LPDDR5 대비 성능·전력효율을 모두 개선했다. 삼성전자는 이 제품 라인업을 확대해 고용량 D램 수요에 적극 대응할 계획이다.

삼성전자는 ‘LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X)’를 업계 최초로 개발했다고 9일 밝혔다.

LPDDR5X는 5G·AI·메타버스 등 미래 첨단 산업에 최적화된 메모리 솔루션으로, 한층 향상된 속도·용량·절전이 특성이다. 업계 최선단 공정인 14나노 EUV 멀티레이어 공정을 통해 개발했다. 5개의 레이어에 EUV를 활용함으로써 미세 회로를 구현함과 동시에 생산성도 높일 수 있다.

LPDDR5X의 동작 속도는 현존하는 모바일 D램 중 가장 빠른 최대 8.5Gbps다. 이전 세대 제품 LPDDR5의 동작속도도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 또한 선단 공정 적용을 통해 기존 LPDDR5 대비 소비전력 효율도 약 20% 개선했다.

삼성전자는 2018년 세계 최초로 8Gb LPDDR5 D램을 개발한데 이어 이번 LPDDR5X를 개발하는 등 D램 시장에서의 기술 경쟁력을 강화하고 있다. 향후에도 삼성전자는 LPDDR5X의 단일칩 용량을 16Gb으로 개발하고, 모바일 D램 단일 패키지 용량을 최대 64GB까지 확대해 고용량 D램 수요에 적극 대응할 계획이다.

---

출처 URL : https://www.clien.net/service/board/news/16672056?od=T31&po=0&category=0&groupCd=